买卖IC网 >> 产品目录43256 >> IPB096N03L G MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 datasheet 分离式半导体产品
型号：

IPB096N03L G

库存数量：3,069
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IPB096N03L G PDF下载
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 9.6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1600pF @ 15V
功率 - 最大 42W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 标准包装
产品目录页面 1619 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPB096N03LGINDKR
相关资料
属性
链接
代理商 IPB096N03L G
IPB096N03LG
IPB096N03LGXT
IPB096N03LGXT/BKN
IPB097N08N3
IPB097N08N3 G
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深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
  • IPB096N03L G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.272 1.272
    10 1.1376 11.376
    25 1.00416 25.104
    100 0.9036 90.36
    250 0.78648 196.62
    500 0.70284 351.42